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| P-InP与Au,Cr,Ti,Cr/Au和Ti/Pd/Au界面互扩散的研究 | |
| 作者姓名： | 张桂成 程宗权 蒋惠英 俞志中 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，上海测试技术研究所 |
| 摘 要： | 用AES研究了P-InP与Au,Cr,Ti,Cr/Au和Ti/Pd/Au界面在热处理过程中的互扩散现象。结果表明:Au,Cr有内扩散现象发生,Ti,Pd层对内扩散有一定阻挡作用。用Ti/Pd/Au体系作InGaAsP/InP双异质结发光管的肖脱基势垒材料,制作的器件在85℃下存贮8000小时能保持特性参数不变,表明Ti/Pd/Au肖脱基势垒有较好的稳定性。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |