| 抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响 |
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| 引用本文： | 李森,王胜利,李红亮,王辰伟,雷双双,刘启旭.抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响[J].电镀与涂饰,2022,41(7):486-490. |
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| 作者姓名： | 李森 王胜利 李红亮 王辰伟 雷双双 刘启旭 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130,天津市计量监督检测科学研究院,天津 300192,河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130 |
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| 摘 要： | 研究了碱性抛光液的pH、SiO2磨料质量分数、H2O2体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响，得到较佳的抛光液组成为：SiO2 5%,H2O2 20 mL/L，甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时，铜和光刻胶的去除速率非常接近，满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。
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| 关 键 词： | 三维微同轴 铜 光刻胶 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率 |
Effect of slurry composition on removal rate selectivity of copper and photoresist in 3D micro-coaxial during chemical mechanical polishing |
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| LI Sen,WANG Shengli,LI Hongliang,WANG Chenwei,LEI Shuangshuang,LIU Qixu.Effect of slurry composition on removal rate selectivity of copper and photoresist in 3D micro-coaxial during chemical mechanical polishing[J].Electroplating & Finishing,2022,41(7):486-490. |
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| Authors: | LI Sen WANG Shengli LI Hongliang WANG Chenwei LEI Shuangshuang LIU Qixu |
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