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IC铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA吸附及去除的研究进展
引用本文:王静,高宝红,刘世桐,吴彤熙,檀柏梅. IC铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA吸附及去除的研究进展[J]. 电镀与涂饰, 2022, 41(3): 203-210. DOI: 10.19289/j.1004-227x.2022.03.010
作者姓名:王静  高宝红  刘世桐  吴彤熙  檀柏梅
作者单位:河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
基金项目:国家自然科学基金;国家科技重大专项
摘    要:
首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA的研究进展,最后对新型缓蚀剂的出现以及在集成电路制造中应用的缓蚀剂的未来研究方向进行了概述。

关 键 词:  化学机械抛光  苯并三唑  吸附等温线  配合物  缓蚀剂  清洗  综述

Progress in research on adsorption and removal of corrosion inhibitor BTA in polishing and subsequent cleaning of copper wires for IC applications
WANG Jing,GAO Baohong,LIU Shitong,WU Tongxi,TAN Baimei. Progress in research on adsorption and removal of corrosion inhibitor BTA in polishing and subsequent cleaning of copper wires for IC applications[J]. Electroplating & Finishing, 2022, 41(3): 203-210. DOI: 10.19289/j.1004-227x.2022.03.010
Authors:WANG Jing  GAO Baohong  LIU Shitong  WU Tongxi  TAN Baimei
Abstract:
Keywords:
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