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分类号
杂志ISSN号
应变Sil-xGex/Si △i能谷附近色散关系的KP理论推导
作者姓名:
宋建军
张鹤鸣
舒斌
胡辉勇
戴显英
摘 要:
基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的△i能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGx中的△i能级大小不同于弛豫Si-xGex的△1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m*l,m*t)相同.△i和△1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征.
关 键 词:
KP法
导带
应变硅锗
KP method
conduction band
strained SiGe
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