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| 应变Sil-xGex/Si △i能谷附近色散关系的KP理论推导 | |
| 作者姓名： | 宋建军 张鹤鸣 舒斌 胡辉勇 戴显英 |
| 摘 要： | 基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的△i能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGx中的△i能级大小不同于弛豫Si-xGex的△1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m*l,m*t)相同.△i和△1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征. |
| 关 键 词： | KP法 导带 应变硅锗 KP method conduction band strained SiGe |
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