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| 在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究 | |
| 作者姓名： | 卢朝靖 李金华 段晓峰 |
| 作者单位： | [1]湖北大学物理学与电子技术学院,湖北武汉430062 [2]中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室,北京100080 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金、教育部新世纪优秀人才支持计划和湖北省教育厅重大科研计划的资助. |
| 摘 要： | 有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究，而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道。研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量的InN薄膜很有意义。本文用TEM研究在c面蓝宝石上分子束外延生长的InN（760nm）／GaN（245nm）／AlN（14nm）薄膜中的穿透位错和极性。 |
| 关 键 词： | 分子束外延生长 外延薄膜 穿透位错 InN TEM 蓝宝石 极性 GaN薄膜 |
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