| 微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应 |
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| 引用本文： | 杨鸿斌,樊永良,张翔九. 微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应[J]. 半导体学报, 2007, 28(8): 1226-1231 |
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| 作者姓名： | 杨鸿斌 樊永良 张翔九 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433 |
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| 摘 要： | 报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性. 实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨.
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| 关 键 词： | SiGe 应变 位错 分子束外延 微区 共度生长 SiGe 异质结构材料 应变弛豫 退火效应 Annealing Effect Strain Area Limited 高温退火 影响 热稳定性 边缘效应 内应力 掩膜 微米尺寸 边界约束条件 退火特性 长材料 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）08-1226-06 |
| 收稿时间： | 2007-02-01 |
| 修稿时间： | 2007-02-01 |
Strain and Annealing Effect of SiGe/Si Heterostructure in Limited Area Grown by MBE |
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| Yang Hongbin,Fan Yongliang and Zhang Xiangjiu. Strain and Annealing Effect of SiGe/Si Heterostructure in Limited Area Grown by MBE[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(8): 1226-1231 |
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| Authors: | Yang Hongbin Fan Yongliang Zhang Xiangjiu |
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| Affiliation: | Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,China;Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,China;Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe strain dislocation MBE |
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