| 调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用 |
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| 引用本文： | 史进,黎晨,陈培毅,罗广礼. 调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用[J]. 微电子学, 2002, 32(4): 249-252 |
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| 作者姓名： | 史进 黎晨 陈培毅 罗广礼 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助重点项目 (6 9836 0 2 0 )，国家“九五”重点科技 (攻关 )计划课题 (97- 76 0 -0 3- 0 1) |
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| 摘 要： | 在普通Si器件性能模拟的基础上，详细研完了长沟应变SiGe器件的模拟，并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能(主要是跨导)的影响。在器件模拟过程中，采用隐含的SiGe材料和Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果。根据前人的材料研完工作，引入了插值所得的近似因子，以修正Silvaco中隐含的SiGe能带模型和迁移率参数。然后，依据修正后的模型对SiGe PMOS进行了更为精确的二维模拟，并验证了调制掺杂层的作用。
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| 关 键 词： | SiGe器件 MOSFET 调制掺杂 应变 迁移率 跨导 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)04-0249-04 |
| 修稿时间： | 2001-08-27 |
Application of Modulation-Doped Layer in SiGe PMOSFET''''s |
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| SHI Jin,LI Chen,CHEN Pei yi,LUO Guang li. Application of Modulation-Doped Layer in SiGe PMOSFET''''s[J]. Microelectronics, 2002, 32(4): 249-252 |
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| Authors: | SHI Jin LI Chen CHEN Pei yi LUO Guang li |
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| Abstract: | The more accurate simulation of strained long channel SiGe devices was performed based on the research work of silicon device simulation The influence of modulation doped layer on device performance, especially on the transconductance, is discussed in particular A modified model is adopted to accomplish the two dimensional simulation of SiGe PMOSFET and verify the effect of modulation doped layer |
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| Keywords: | SiGe device MOSFET Modulation doping Strain Mobility Transconductance |
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