|
|||||
|
|
| 阴极恒电流法电沉积SnS薄膜 | |
| 引用本文： | 程树英,陈岩清,钟南保,黄赐昌,陈国南.阴极恒电流法电沉积SnS薄膜[J].功能材料与器件学报,2004,10(4):441-445. |
| 作者姓名： | 程树英 陈岩清 钟南保 黄赐昌 陈国南 |
| 作者单位： | 1. 福州大学化学系,福州,350002;福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002 2. 福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002 3. 福州大学化学系,福州,350002 |
| 基金项目： | 福建省教育厅项目(JA03009)，福州大学博士后基金项目(XJBH-0201)，人才基金项目(XJBH-0202) |
| 摘 要： | 用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响,得出制备SnS薄膜的理想的工艺条件为:pH=2.7,Sn2+:S2O32-=1:5,J=3.0mA·cm-2,t=1.5h,并制备出了成分为Sn0.995S1.005的膜层。用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜,晶粒大小不一,在200-800nm之间。用分光光度计测量了该薄膜在400-3000nm波段的透射光谱和吸收光谱,发现其在400-900nm波段的透过率较低,在950-1000nm附近有明显的吸收边,在波长大于1000nm后其透过率较大。 |
| 关 键 词： | 电沉积 SnS薄膜 电流密度 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)04-0441-05 |
| 修稿时间： | 2004年1月15日 |
Preparation of SnS film by constant current cathodic electrodeposition |
|
| CHENG Shu -ying ,CHEN Yan -qing ,ZHONG Nan -bao ,HUANG Ci -chang ,CHEN Guo -nan.Preparation of SnS film by constant current cathodic electrodeposition[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(4):441-445. | |
| Authors: | CHENG Shu -ying CHEN Yan -qing ZHONG Nan -bao HUANG Ci -chang CHEN Guo -nan |
| Affiliation: | CHENG Shu -ying 1,2,CHEN Yan -qing 2,ZHONG Nan -bao 2,HUANG Ci -chang 2,CHEN Guo -nan 1 |
| Abstract: | |
| Keywords: | electrodeposition SnS film current density |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |