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| InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究 | |
| 引用本文： | 殷景志,杜国同,龙北红,杨树人,许武,宣丽.InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究[J].液晶与显示,2004,19(2):116-119. |
| 作者姓名： | 殷景志 杜国同 龙北红 杨树人 许武 宣丽 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023 2. 吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023 3. 吉林大学,材料科学与工程学院,吉林,长春,130023 4. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目资助 (No .698962 60 ) |
| 摘 要： | 为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。 |
| 关 键 词： | 半导体光放大器 磷化铟 应变补偿结构 晶格匹配 偏振灵敏度 量子阱结构 |
| 文章编号： | 1007-2780(2004)02-0116-04 |
| 修稿时间： | 2003年10月20 |
Research on Fabrication of Polarization Insensitive Semiconductor Optical Amplifier with Strain Compensation Structure in InP Base |
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| YIN Jing-zhi.Research on Fabrication of Polarization Insensitive Semiconductor Optical Amplifier with Strain Compensation Structure in InP Base[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2004,19(2):116-119. | |
| Authors: | YIN Jing-zhi |
| Affiliation: | YIN Jing-zhi~ |
| Abstract: | |
| Keywords: | strain compensation polarization insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) |
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