| 共振隧穿二极管 |
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| 引用本文： | 郭维廉,梁惠来,张世林,牛萍娟,毛陆虹,赵振波,郝景臣,魏碧华,张豫黔,宋婉华,杨中月. 共振隧穿二极管[J]. 微纳电子技术, 2002, 39(5): 11-15,36 |
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| 作者姓名： | 郭维廉 梁惠来 张世林 牛萍娟 毛陆虹 赵振波 郝景臣 魏碧华 张豫黔 宋婉华 杨中月 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072
2. 河北半导体研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。
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| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 纳米器件 量子效应 负阻特性 |
| 文章编号： | 1671-4776(2002)05-0011-05 |
Resonumt tunneling diode |
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| GUO Wei-lian,LIANG Hui-lai,ZHANG Shi-lin,NIU Ping-Juan,MAO Lu-hong,ZHAO Zhen-bo. Resonumt tunneling diode[J]. Micronanoelectronic Technology, 2002, 39(5): 11-15,36 |
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| Authors: | GUO Wei-lian LIANG Hui-lai ZHANG Shi-lin NIU Ping-Juan MAO Lu-hong ZHAO Zhen-bo |
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| Abstract: | The Resonant tunneling diode operating in room temperature is designed and fabricat-ed.The PVCR of the device is 7.6:1, and the oscillation frequency is 54GHz, In this paper, the designation, fabrication, and measurement of parameters and Characteristics on RTD have been analysed and described Systematically. |
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| Keywords: | resonant tunneling diode nano-scale device quantum effect negative resistance characteristics |
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