| 一种基于CMOS工艺的欠压保护电路 |
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| 引用本文： | 贺江平,张波,孙江.一种基于CMOS工艺的欠压保护电路[J].微电子学,2017,47(1):23-25. |
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| 作者姓名： | 贺江平 张波 孙江 |
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| 作者单位： | 电子科技大学, 成都 610054,电子科技大学, 成都 610054,西南交通大学, 成都 610031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504111) |
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| 摘 要： | 提出了一种基于标准CMOS工艺的欠压保护电路,能提供高精度的阈值电压和低温度漂移的上升阈值。在标准CMOS工艺中,利用横向PNP中VBE的负温特性与热电压VT的正温特性进行相互补偿,实现低的温度漂移特性。同时,欠压保护电路的阈值主要由电阻之间的比例决定,能获得高精度、高集中度的阈值电压,达到量产要求。
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| 关 键 词： | 欠压保护 横向PNP 温度补偿 |
| 收稿时间： | 2015/12/31 0:00:00 |
A Novel Under-Voltage Protection Circuit Based on CMOS Process |
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| HE Jiangping,ZHANG Bo and SUN Jiang.A Novel Under-Voltage Protection Circuit Based on CMOS Process[J].Microelectronics,2017,47(1):23-25. |
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| Authors: | HE Jiangping ZHANG Bo and SUN Jiang |
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| Affiliation: | University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, P.R.China,University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, P.R.China and Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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