| GaAs DCFL电路研究 |
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| 引用本文： | 史常忻,唐标.GaAs DCFL电路研究[J].固体电子学研究与进展,1994,14(2):156-160. |
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| 作者姓名： | 史常忻 唐标 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所，卡尔加里大学，哥伦比亚大学 |
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| 基金项目： | 电子部电子科学研究院资助 |
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| 摘 要： | 给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。
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| 关 键 词： | GaAsIC，DCFL电路 |
An Investigation on PB-SAG GaAs DCFL |
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| Shi Changxin, Tang Biao, Li Xiaoming, Wang Qingkang.An Investigation on PB-SAG GaAs DCFL[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1994,14(2):156-160. |
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| Authors: | Shi Changxin Tang Biao Li Xiaoming Wang Qingkang |
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| Abstract: | he GaAs DCFL with p-buried self-alinged gate (PB-SAG)is investigated, including circuit design and technology, in this paper for the first time. The experimental results show that both the circuit design and technology are suitable for VLSI GaAs DCAL. |
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| Keywords: | GaAs IC DCFL |
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