| 77K MOSFET计算机模拟增量限制方法 |
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| 引用本文： | 曹俊诚 魏同立. 77K MOSFET计算机模拟增量限制方法[J]. 固体电子学研究与进展, 1994, 14(4): 323-327 |
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| 作者姓名： | 曹俊诚 魏同立 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心低温实验室 |
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| 摘 要： | 对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的增量限制方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验。结果表明，设置增量限制能保证低温半导体器件模拟的数值收敛性，并巨有较快的收敛速度。
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| 关 键 词： | 低温器件，计算机模拟，增量限制 |
A Increment Limit Method for MOSFET Simulation at 77 K |
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| Cao Juncheng,Wei Tougli. A Increment Limit Method for MOSFET Simulation at 77 K[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 1994, 14(4): 323-327 |
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| Authors: | Cao Juncheng Wei Tougli |
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| Abstract: | The simulation method for semiconductor device at low-temperatureis considered from both numerical and physical view. The increment limit methodsuitable for MOSFET simulation at 77 K is presented. Computer test for thismethod is carried out by using MINIMOS4. 0. Numerical results indicate that theincrement limit method is convergent fast for 77 K device. simulation. |
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| Keywords: | Low-temperature Device Simulation Increment Limit Method |
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