具有扩散挡层的n—GaAs欧姆接触

常规的ｎ－ＧａＡｓ ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ欧姆接触存在不少缺陷。本文提出在ＡｕＧｅＮｉ接触层与Ａｕ覆盖层之间加入扩散阻挡层ＷＮ。结果表明，新结构的金属化不仅降低了比接触电阻，而且具有良好的表面形貌；更重要的是，ＷＮ膜的引入有效地阻挡了接触层与Ａｕ覆盖层中各种元素原子之间的相互扩散，提高了接触的可靠性。