热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响

讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ－Ｖ特性曲线畸变，平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ＾ｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。