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热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响
作者姓名:
赵策洲 董建荣
摘 要:
讨论了热载流子注入对MOS结构C-V和I-V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C-V特性曲线畸变,平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的t^n物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。
关 键 词:
载流子注入 集成电路 结构 MOS
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