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用NH3作为N源可提高GaN的生长速率

引用本文：	青春.用NH3作为N源可提高GaN的生长速率[J].电子材料快报,1996(3):8-8.

作者姓名：	青春

摘要：
关键词：	NH3 N源 GaN 半导体 MOCVD法
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