一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法 |
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引用本文: | 于春利,郝跃,杨林安. 一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法[J]. 半导体学报, 2004, 25(10): 1215-1220 |
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作者姓名: | 于春利 郝跃 杨林安 |
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作者单位: | 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 |
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摘 要: | 提出了一种适用于短沟道L DD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑.提取出的参数用于已建立的深亚微米L DD MOSFET的I- V特性模型中,模拟与测试数据的吻合表明了该方法的实用性
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关 键 词: | 轻掺杂漏MOSFET 参数提取 寄生串联电阻 迁移率 |
A Novel Technique of Parameter Extraction for Short Channel Length LDD MOSFETs |
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Abstract: | |
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Keywords: | LDD MOSFET parameter extraction parasitic se ries resistance mobility |
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