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| 军用半导体器件的贮存理论与试验 | |
| 作者姓名： | 翁寿松 |
| 作者单位： | 无锡市元件四厂 214031 |
| 摘 要： | 本文论述军用半导体器件的贮存理论、标准和试验.鉴于目前我国半导体器件的现状,军用半导体器件的贮存期可规定为2～3年.超过贮存期应进行100%的外观、电参数、密封性检查和抽样可焊性试验、破坏性物理分析.试验合格后的产品仍可交付使用. |
| 关 键 词： | 半导体器件 军用电子装备 贮存期 可靠性 试验 |
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