| BaMoO4薄膜电化学制备适宜的工艺条件 |
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| 引用本文： | 高道江,赖欣,毕剑.BaMoO4薄膜电化学制备适宜的工艺条件[J].材料保护,2005,38(10):33-36. |
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| 作者姓名： | 高道江 赖欣 毕剑 |
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| 作者单位： | 四川师范大学化学与材料科学学院,四川,成都,610066 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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四川省教育厅资助项目 |
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| 摘 要： | 为研究BaMoO4薄膜的电化学成膜机制,寻求适宜的制备工艺条件,采用恒电流沉积技术直接在高纯金属钼片上制备了白钨矿结构的BaMoO4薄膜.借助XRD、SEM、XPS等分析技术研究了温度和电流密度等工艺条件对制备的BaMoO4薄膜的影响.结果表明,制备的BaMoO4薄膜为四方单相结构,室温、相对较低的电流密度条件下制备的BaMoO4薄膜表面更均匀、致密.适宜的电化学制备BaMoO4薄膜的工艺条件为:室温,电流密度为0.3 mA/cm2,溶液pH值为13,反应时间为1 h.
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| 关 键 词： | BaMoO4薄膜 电化学制备 工艺 优化 |
| 文章编号： | 1001-1560（2005）10-0033-04 |
| 收稿时间： | 2005-06-18 |
| 修稿时间： | 2005-06-18 |
Optimization of the Process Conditions for Electrochemical Deposition of BaMoO4 Thin Film |
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| GAO Dao-jiang,LAI Xin,BI Jian.Optimization of the Process Conditions for Electrochemical Deposition of BaMoO4 Thin Film[J].Journal of Materials Protection,2005,38(10):33-36. |
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| Authors: | GAO Dao-jiang LAI Xin BI Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BaMoO_ 4 thin film electrochemical deposition process optimization |
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