| MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 |
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| 引用本文： | 冉军学,王晓亮,胡国新,王军喜,李建平,曾一平,李晋闽.MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究[J].半导体学报,2005,26(3):494-497. |
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| 作者姓名： | 冉军学 王晓亮 胡国新 王军喜 李建平 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083
(冉军学，王晓亮，胡国新，王军喜，李建平，曾一平)，中国科学院半导体研究所 北京100083(李晋闽) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN∶Mg外延膜，对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试．Hall测试结果表明，950℃退火后空穴浓度达到5e17cm－3以上，电阻率降到2.5Ω·cm；(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′；室温PL谱中发光峰位于2.85eV处，退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上，表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活．
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| 关 键 词： | MOCVD Mg掺杂 退火 p-GaN DCXRD PL谱 MOCVD 生长 掺杂 退火研究 Annealing Treatment 激活 原子 增强 强度比 发光峰位 半峰宽 发现 电阻率 空穴浓度 测试结果 光致发光谱 室温 DCXRD 射线衍射 双晶 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0494-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月12日 |
Study on MOCVD-Grown Mg-Doped GaN by Annealing Treatment |
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| Ran Junxue,Wang Xiaoliang,Hu Guoxin,Wang Junxi,Li Jianping,Zeng Yiping,Li Pumin.Study on MOCVD-Grown Mg-Doped GaN by Annealing Treatment[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):494-497. |
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| Authors: | Ran Junxue Wang Xiaoliang Hu Guoxin Wang Junxi Li Jianping Zeng Yiping Li Pumin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD Mg doping annealing p-GaN DCXRD PL spectra |
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