| 短沟道MOS阈值电压物理模型 |
| |
| 引用本文： | 谢晓锋,张文俊,杨之廉.短沟道MOS阈值电压物理模型[J].固体电子学研究与进展,2003,23(2):155-158. |
| |
| 作者姓名： | 谢晓锋 张文俊 杨之廉 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| |
| 摘 要： | 通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器 MINIMOS的结果符合
|
| 关 键 词： | 短沟道 阈值电压 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)02-155-04 |
| 修稿时间： | 2001年4月13日 |
A Physical Threshold Voltage Model for Short-channel MOSFET Simulation |
| |
| XIE Xiaofeng,ZHANG Wenjun,YANG Zhilian.A Physical Threshold Voltage Model for Short-channel MOSFET Simulation[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(2):155-158. |
| |
| Authors: | XIE Xiaofeng ZHANG Wenjun YANG Zhilian |
| |
| Abstract: | A threshold voltage model for short-channel MOSFET is developed by solving a 2-D Possion's equation. The derived DIBL factor can be used to analysis the influence of the parameters on short-channel effects. The simulated results by this model are consistence with the results obtained by numerical simulator MINIMOS. |
| |
| Keywords: | short-channel threshold voltage MOSFET |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
