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| 现代光刻技术 | |
| 引用本文： | 陈大鹏,叶甜春. 现代光刻技术[J]. 核技术, 2004, 27(2): 81-86 |
| 作者姓名： | 陈大鹏 叶甜春 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100010;中国科学院微电子中心,北京,100010 |
| 摘 要： | 作为当前集成电路制造的主流技术，光学光刻在趋近其分辨力极限的同时，面临着越来越大的挑战，即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下，光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式X射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软X射线投影光刻技术(EUVL)、离子投影光刻技术(IPL)等下一代光刻技术(NGL)将会在特征线宽为100-70nm的技术节点介入集成电路制造的主流技术中。从目前NGL技术发展的趋势和市场需求的多元化来看，竞争的结果很可能是各种NGL技术并存。当特征尺寸进入纳米尺度(≤100n／n)以后，最终只有那些原子级的成像技术才能成为胜者。 |
| 关 键 词： | 光刻 分辨力 X射线光刻技术 电子束直写 极紫外线投影光刻 离子束投影光刻 |
Modern lithography techniques |
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| CHEN Dapeng YE Tianchun. Modern lithography techniques[J]. Nuclear Techniques, 2004, 27(2): 81-86 | |
| Authors: | CHEN Dapeng YE Tianchun |
| Abstract: | |
| Keywords: | Lithography Resolution X-ray lithography (XRL) Electronic beam direction writing (EBDW) Extreme ultraviolet lithography (EUVL) Ion beam project lithography (IPL) |
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