| 薄栅氧高压CMOS器件研制 |
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| 引用本文： | 刘奎伟,韩郑生,钱鹤,陈则瑞,于洋,仙文岭,饶竞时.薄栅氧高压CMOS器件研制[J].半导体学报,2004,25(5):568-572. |
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| 作者姓名： | 刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 仙文岭 饶竞时 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心，中国科学院微电子中心，中国科学院微电子中心，首钢日电电子有限公司，首钢日电电子有限公司，首钢日电电子有限公司，首钢日电电子有限公司 北京100029，北京100029，北京首科微电子工业研发中心有限公司，北京100029，北京100029，北京首科微电子工业研发中心有限公司，北京100029，北京100041，北京100041，北京100041，北京100041 |
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| 摘 要： | 研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .
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| 关 键 词： | 0.5μm 高压CMOS 高低压兼容 CMOS工艺 驱动电路 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0568-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月25日 |
Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS |
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| Liu Kuiwei ,Han Zhengsheng ,Qian He ,Chen Zerui ,Yu Yang ,Xian Wenling and Rao Jingshi.Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(5):568-572. |
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| Authors: | Liu Kuiwei Han Zhengsheng Qian He Chen Zerui Yu Yang Xian Wenling and Rao Jingshi |
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| Affiliation: | Liu Kuiwei 1,Han Zhengsheng 1,3,Qian He 1,3,Chen Zerui 2,Yu Yang 2,Xian Wenling 2 and Rao Jingshi 2 |
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