| 薄栅氧高压CMOS器件研制 |
| |
| 引用本文： | 刘奎伟,韩郑生,钱鹤,陈则瑞,于洋,仙文岭,饶竞时. 薄栅氧高压CMOS器件研制[J]. 半导体学报, 2004, 25(5): 568-572 |
| |
| 作者姓名： | 刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 仙文岭 饶竞时 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子中心，中国科学院微电子中心，中国科学院微电子中心，首钢日电电子有限公司，首钢日电电子有限公司，首钢日电电子有限公司，首钢日电电子有限公司 北京100029，北京100029，北京首科微电子工业研发中心有限公司，北京100029，北京100029，北京首科微电子工业研发中心有限公司，北京100029，北京100041，北京100041，北京100041，北京100041 |
| |
| 摘 要： | 研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .
|
| 关 键 词： | 0.5μm 高压CMOS 高低压兼容 CMOS工艺 驱动电路 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0568-05 |
| 修稿时间： | 2003-05-25 |
Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS |
| |
| Liu Kuiwei ,Han Zhengsheng ,,Qian He ,,Chen Zerui ,Yu Yang ,Xian Wenling and Rao Jingshi. Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(5): 568-572 |
| |
| Authors: | Liu Kuiwei Han Zhengsheng Qian He Chen Zerui Yu Yang Xian Wenling Rao Jingshi |
| |
| Affiliation: | Liu Kuiwei 1,Han Zhengsheng 1,3,Qian He 1,3,Chen Zerui 2,Yu Yang 2,Xian Wenling 2 and Rao Jingshi 2 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
