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| MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点 | |
| 引用本文： | 周清,刘珂,罗子江,郭祥,周勋,丁召.MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点[J].功能材料,2013,44(8):1128-1131. |
| 作者姓名： | 周清 刘珂 罗子江 郭祥 周勋 丁召 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学理学院,贵州贵阳,550025 2. 贵州大学理学院,贵州贵阳550025;贵州财经大学教育管理学院,贵州贵阳550004 3. 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳,550001 |
| 基金项目： | 教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目，国家自然科学基金资助项目，贵州大学研究生创新基金资助项目 |
| 摘 要： | 用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得大小及密度可调的In0.43Ga0.57As/GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAs、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAs隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控,样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。 |
| 关 键 词： | InGaAs量子点 分子束外延 垂直堆垛 DWELL结构 |
Fabrication of InGaAs quantum dot 2D-arrays on GaAs(001) by MBE |
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| ZHOU Qing,LIU Ke,LUO Zi-jiang,GUO Xiang,ZHOU Xun,DING Zhao.Fabrication of InGaAs quantum dot 2D-arrays on GaAs(001) by MBE[J].Journal of Functional Materials,2013,44(8):1128-1131. | |
| Authors: | ZHOU Qing LIU Ke LUO Zi-jiang GUO Xiang ZHOU Xun DING Zhao |
| Affiliation: | 1(1.College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China; 2.School of Physics and Electronics Science,Guizhou Normal University,Guiyang 550001,China; 3.School of Education Administration,Guizhou University of Finance and Economics,Guiyang 550004,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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