| 用Zn掺杂和热处理改善SnS薄膜的电学特性 |
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| 引用本文： | 贾影,李健,闫君. 用Zn掺杂和热处理改善SnS薄膜的电学特性[J]. 功能材料, 2013, 44(8): 1081-1085 |
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| 作者姓名： | 贾影 李健 闫君 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特010021
2. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 内蒙古自治区自然科学基金资助项目，内蒙古自治区高等学校科技资助项目 |
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| 摘 要： | 用质量比为1%∶0.2%(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103Ω.cm,选择2%和4%(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性。研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜(2%和4%(质量分数))的电阻率在1.8528×10-3～4.944×10-4Ω.cm之间,导电类型为N型。薄膜中Sn和S分别呈+2和-2价,Zn显示+2价,以间隙和替位两种状态存在于SnS中,对薄膜导电性起改善作用的是间隙态的Zn离子。
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| 关 键 词： | 热蒸发 热处理 SnS薄膜 Zn掺杂 电学特性 |
Electrical characterization improvement of the Zn-doped and heat-treatment to SnS thin films |
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| JIA Ying,LI Jian,YAN Jun. Electrical characterization improvement of the Zn-doped and heat-treatment to SnS thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2013, 44(8): 1081-1085 |
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| Authors: | JIA Ying LI Jian YAN Jun |
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| Affiliation: | 1(1.School of Physical Science and Technology,Inner Mongolia University,Hohhot 010021,China; 2.Key Laboratory of Semiconductor Photovoltaic Technology for Colleges of Inner Mongolia Autonomous Region,Hohhot 010021,China) |
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