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高压MOS集成电路及其应用
引用本文:唐国洪 ,陈德英 ,樊路加.高压MOS集成电路及其应用[J].电子器件,1987(4).
作者姓名:唐国洪  陈德英  樊路加
摘    要:本文分析了MOS器件漏耐压低的原因,实现高耐压的途径和高耐压MOS器件的结构,最后着重介绍了偏置栅高压MOS IC的应用.

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