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微结构气敏传感器敏感薄膜制备方法的研究
引用本文:李建平,王悦.微结构气敏传感器敏感薄膜制备方法的研究[J].真空科学与技术,2000,20(3):161-165.
作者姓名:李建平  王悦
摘    要:随着微结构气敏传感器的出现,金属氧化物半导体薄膜因具有灵敏度高、热质量小、批量制备一致性好等特点受到日益广泛的重视,本比较了在微结构气敏传感器中三种方法制备的SnO2敏感薄膜的结构和气敏响应特性。结果表明,用液涎生长和热氧化技术制备Sn2薄膜虽然能采用Lift-off技术成形,但由于膜中晶粒结构和Sn/O比不合适使得它的气敏响应特性很差;室温混合气氛(Ar/O2比为8:2)下射频溅射SnO2靶然

关 键 词:微结构  气敏传感器  二氧化锡薄膜  气敏特性
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