| 低k电介质及其设备 |
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| 引用本文： | 翁寿松. 低k电介质及其设备[J]. 电子工业专用设备, 2008, 37(5): 28-30 |
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| 作者姓名： | 翁寿松 |
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| 作者单位： | 无锡市罗特电子有限公司,江苏,无锡,214001 |
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| 摘 要： | 低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0～2.9,65nm工艺要求k=2.8～2.7,45nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。
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| 关 键 词： | 多孔低k电介质 Cu互连 化学机械抛光 碳纳米管 设备 |
| 文章编号： | 1004-4507(2008)05-0028-03 |
The Low-k Dielectric and its Equipment |
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| WENG Shou-song. The Low-k Dielectric and its Equipment[J]. Equipment for Electronic Products Marufacturing, 2008, 37(5): 28-30 |
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| Authors: | WENG Shou-song |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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