一维钨纳米结构阵列的可控制备

采用金属催化法结合化学气相沉积法制备一维W纳米结构阵列,对一维W纳米结构阵列可控制备进行系统的研究。结果表明:一维W纳米结构阵列的直径主要受到催化剂和N_2流量的影响,随着催化剂颗粒尺寸的减小或者N_2流量的减小,催化生长后W纳米线直径的尺寸也相应变小;一维W纳米结构阵列的长度主要受到生长时间的影响,生长时间的延长会使W纳米线阵列的长度也相应的增加,有利于超长W纳米线阵列的合成;一维W纳米结构阵列的密度主要受到催化剂和WO_3粉末粒径的影响,随着催化剂颗粒的密度的增加或者WO_3粒径的减小,W纳米线阵列的密度也相应增加;一维W纳米结构阵列的形貌主要受到生长温度和基片材料的影响。