| 宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用 |
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| 引用本文： | 王玉霞,何海平,汤洪高.宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用[J].硅酸盐学报,2002,30(3):372-381. |
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| 作者姓名： | 王玉霞 何海平 汤洪高 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 172 0 44 ) . |
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| 摘 要： | SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一，具有极为优良的物理化学性能，应用前景十分广阔，本文综合介绍SiC的基本特性，材料的生长技术（包括体单晶生长和薄膜外延生长技术），SiC基器件的研发现状，应用领域及发展前景，同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶4H-SiC薄膜的研究结果。
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| 关 键 词： | 宽带隙半导体材料 SiC 应用 碳化硅 体单晶生长 薄膜 半导体器件 |
| 文章编号： | 0454-5648(2002)03-0372-10 |
| 修稿时间： | 2001年12月10 |
Progress in Research on Wide Band-Gap Semiconductor SiC and Its Application |
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| WANG Yuxia,HE Haiping,TANG Honggao.Progress in Research on Wide Band-Gap Semiconductor SiC and Its Application[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2002,30(3):372-381. |
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| Authors: | WANG Yuxia HE Haiping TANG Honggao |
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| Abstract: | Due to its excellent physical and chemical properties, SiC has been regarded as a key material for the third_generation semiconductors with extensive potential applications. In this paper, SiC properties, techniques for SiC bulk and film growth, current status of research on SiC_based device, and applications and prospect of SiC materials are reviewed. The aothors' results of growing single_crystalline 4H-SiC film on Si substrate by pulsed laser deposition are also described. |
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| Keywords: | silicon carbide bulk growth film device |
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