| 1mm SiC多指栅微波功率器件 |
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| 引用本文： | 陈刚,钱伟,陈斌,柏松.1mm SiC多指栅微波功率器件[J].半导体学报,2006,27(z1):419-421. |
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| 作者姓名： | 陈刚 钱伟 陈斌 柏松 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.
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| 关 键 词： | 4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 多指 微波功率器件 Power Device Microwave 漏极效率 功率附加效率 增益 最大输出功率 测试结果 微波特性 沟道 栅长 栅宽 制作 工艺流程 设计 研究 工艺技术 多栅 MESFET |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0419-03 |
| 修稿时间： | 2005年12月2日 |
1mm SiC Multi-Finger Gate Microwave Power Device |
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| Chen Gang,Qian Wei,Chen Bin,Bai Song.1mm SiC Multi-Finger Gate Microwave Power Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):419-421. |
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| Authors: | Chen Gang Qian Wei Chen Bin Bai Song |
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| Keywords: | |
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