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| 温梯法生长φ110 mm×80 mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析 | |
| 引用本文： | 周国清,徐科,邓佩珍,徐军,周永宗,干福熹,朱人元.温梯法生长φ110 mm×80 mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析[J].硅酸盐学报,1999,27(6):727-733. |
| 作者姓名： | 周国清 徐科 邓佩珍 徐军 周永宗 干福熹 朱人元 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所 2. 美国加州理工学院 |
| 基金项目： | “863”计划新材料领域资助!项目，编号：Z35 －1B． |
| 摘 要： | 利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ）生长了φ１１０ｍｍ×８０ｍｍ的蓝宝石单晶，应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况、发现在晶体放肩处的（１１２０）面位错密度约为１０＾４ｃｍ＾－２量级，等径生长过程中造晶体中心处（０００１）面位错密度为（３￣４）×１０＾３ｃｍ＾－２，靠近坩埚壁处（０００１）面晶体位错密度为（５￣６）×１０＾４ｃｍ＾－２，用同样方法分析 |
| 关 键 词： | 温度梯度法 氧化铝 位错腐蚀坑 晶体生长 |
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