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掺镱氟磷酸钙(Yb:FAP)晶体的生长
作者姓名:杨培志 邓佩珍
摘    要:用高频感应提法拉生长掺Yb3+氟磷酸钙(Yb:FAP)晶体,获得了理想的生长工艺参数,为消除晶体中通常存在的宏观缺陷,研究了晶体的退火条件,生长的晶体毛坯尺寸为φ22mm×45mm,对晶体进行了初步的位错观察,并估算了晶体的位错密度。

关 键 词:掺镱 氟磷酸钙 晶体生长 退火 位错
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