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| Mn-Co-Zn-O体系制备低阻高B型单层片式NTCR | |
| 引用本文： | 贾素兰,陈朝阳,陶明德,丛秀云. Mn-Co-Zn-O体系制备低阻高B型单层片式NTCR[J]. 功能材料与器件学报, 2011, 17(4) |
| 作者姓名： | 贾素兰 陈朝阳 陶明德 丛秀云 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;中国科学院研究生院,北京100039;新疆电子信息材料与器件重点实验室 2. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室 3. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;成都西汉电子科技责任有限公司 |
| 摘 要： | 研究了Mn-Co-O体系通过掺入适量ZnO,采用最佳的烧结温度,可制备低阻高B型NTCR(负温度系数热敏电阻),并通过XRD、SEM研究了样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在不同烧结温度下的微观结构和电学特性。结果表明:Mn-Co-Zn-O体系在T=1100~1200℃很宽的温度范围可只存在尖晶石结构,同时具有高的激活能。样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在烧结温度T=1100℃时存在最小电阻率,而B仍保持在4046K左右。因此,由其制成的单层片式NTCR可替代某些具有内电极的叠层器件。 |
| 关 键 词： | NTC热敏电阻 低阻高B 单层片式 |
The Preparation of Mn-Co-Zn Oxide for Monolayer Chip NTC Thermistors with Low Resistance and High B Constant |
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| Jia Su-lan,Chen Zhao-yang,Tao Ming-de,Cong Xiu-yun. The Preparation of Mn-Co-Zn Oxide for Monolayer Chip NTC Thermistors with Low Resistance and High B Constant[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2011, 17(4) | |
| Authors: | Jia Su-lan Chen Zhao-yang Tao Ming-de Cong Xiu-yun |
| Affiliation: | Jia Su-lan1,2,3,Chen Zhao-yang1,Tao Ming-de1,4,Cong Xiu-yun1,3 (1.The Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry,Chinese Academy of Science,Urumuqi,Xinjiang 830011,China,2.Graduate School of the Chinese Academy of Science,Beijing 100039,3.Xinjiang key laboratory of Electronic Information Materials and Devices,4.XiHan Electronics Science and Technology,Co.Ltd.,Chengdu,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | NTC thermistors low resistance and high B constant monolayer chip |
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