| InGaAs量子点激光器光增益的温度特性 |
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| 引用本文： | 宁永强,高欣,等.InGaAs量子点激光器光增益的温度特性[J].红外与毫米波学报,2002,21(4):285-288. |
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| 作者姓名： | 宁永强 高欣 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021
2. 长春光学精密机械学院,高功能半导体激光国防重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号 699760 3 2,199740 47)资助项目，吉林省科委基金资助项目~~ |
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| 摘 要： | 研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性，并与InGaAs单量子阱材料进行了对比，发现In-GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性，同时发现随着温度升高，在140－200K湿度范围内，InGaAs量子点增益峰值首先增大，当温度超过200K后开始减小，对这种增益特性的产生机制进行了分析，增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动，与量子阱材料相比具有更好的温度稳定性。
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| 关 键 词： | InGaAs 激光器 量子点 光增益 温度特性 半导体材料 砷镓铟化合物 |
| 收稿时间： | 2001/11/17 |
| 修稿时间： | 2001年11月17 |
TEMPERATURE DEPENDENCE OF OPTICAL GAIN IN InGaAs QUANTUM DOTS LASER |
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| NING Yong Qiang, LIU Yun, WANG Li Jun, GAO Xin.TEMPERATURE DEPENDENCE OF OPTICAL GAIN IN InGaAs QUANTUM DOTS LASER[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2002,21(4):285-288. |
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| Authors: | NING Yong Qiang LIU Yun WANG Li Jun GAO Xin |
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| Abstract: | The temperature dependence of gain in InGaAs multi stacked quantum dots (QDs) laser was investigated and compared with InGaAs single quantum well(SQW) laser. It was found that quantum dost laser showed a much better stability of gain on temperature. The gain in InGaAs QDs increases with temperature in the region from 140K to 200K. Beyond 200K the gain decreases with increasing temperature. The mechanism for the above gain characteristics was analyzed. The gain peak wavelength moves to longer wavelength range with increasing temperature and exhitits a better temperature stability compared with quantum well laser. |
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| Keywords: | quantum dots optical gain temperature dependence |
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