| SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究 |
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| 引用本文： | 马晓翠,闫大卫,吴军,王宗昌,邹慧珠.SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究[J].半导体学报,1993,14(6):361-367. |
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| 作者姓名： | 马晓翠 闫大卫 吴军 王宗昌 邹慧珠 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系 长春 130023，长春 130023，长春 130023，长春 130023，长春 130023 |
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| 摘 要： | 用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导及气敏测量分析结果支持过渡层具有低电导、低灵敏特性的假设。AES,XPS及气敏特性的研究表明,退火过程不是形成过渡层的主要原因。过渡层的形成源与沉积过程中的等离子体的作用。
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