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| Si中Ge量子点的光致发光 | |
| 作者姓名： | 胡冬枝 朱海军 蒋最敏 黄大鸣 张翔九 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散． |
| 关 键 词： | 硅 锗 量子点 光致发光 |
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