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| 硅中扩散p－n结形成时的“自吸除”效应 | |
| 摘 要： | 硅中扩散ｐ－ｎ结形成时的“自吸除”效应＝［刊．俄］－１９９３．２２（１）．－２２～２６在半导体基片的非工作区扩散掺杂至接近掺杂元素的极限溶解度。是最为有效的吸除方法之一。以往。人们对这一方法进行了广泛的研究。包括对吸除机理进行了深入仔细的探讨。研究发... |
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