内匹配静电感应晶体管

<正> 日本三菱电机的LSI研究所采用内匹配技术研制1GHz下输出功率100W、增益为4dB的微波静电感应晶体管(SIT)获得成功,在1981年11月召开的日本电子通信学会电子器件研究会上发表了这项成果。在进行器件设计时,为了降低影响高频特性的每单位源长的漏-栅电容,首先使图形制作得更微细,电极条宽为2μm,电极间距为1μm,栅间距为6μm。此外,为了避免热集中,整个晶体管被分成几个单胞配置,芯片尺寸约4×1.2mm,设计指标为:在1GHz下能输出50W。