| MBE高掺杂n-GaAs:Si和p-GaAs:Be的光致发光谱 |
| |
| 引用本文： | 胡天斗,许继宗,梁基本,庄蔚华. MBE高掺杂n-GaAs:Si和p-GaAs:Be的光致发光谱[J]. 半导体学报, 1989, 10(8): 607-614 |
| |
| 作者姓名： | 胡天斗 许继宗 梁基本 庄蔚华 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京(胡天斗，许继宗，梁基本)，中国科学院半导体研究所 北京(庄蔚华) |
| |
| 摘 要： | 我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的发光与温度的关系.由分析得出,对于高掺杂的n-GaAs,填充在导带内较高能态(K≠0)的电子与价带顶(K=0)空穴的非竖直跃迁是主要的发光过程.而对于高掺杂的p-GaAs,则是以导带底附近(K(?)0)的电子和价带顶附近(K(?)0)的空穴竖直跃迁为主要发光过程.
|
| 关 键 词： | 光致发光 高掺杂 砷化镓 分子束外延 |
Photoluminescence of Heavily Doped GaAs:Si and GaAs:Be Grown by MBE |
| |
| Hu Tiandou/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingXu Jizong/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingLiang Jiben/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingZhuang Weihua/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing. Photoluminescence of Heavily Doped GaAs:Si and GaAs:Be Grown by MBE[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1989, 10(8): 607-614 |
| |
| Authors: | Hu Tiandou/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingXu Jizong/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingLiang Jiben/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingZhuang Weihua/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Photoluminescence GaAs Heavy doping MBE |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
