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| MBE高掺杂n-GaAs:Si和p-GaAs:Be的光致发光谱 | |
| 作者姓名： | 胡天斗 许继宗 梁基本 庄蔚华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 (胡天斗,许继宗,梁基本),中国科学院半导体研究所 北京(庄蔚华) |
| 摘 要： | 我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的发光与温度的关系.由分析得出,对于高掺杂的n-GaAs,填充在导带内较高能态(K≠0)的电子与价带顶(K=0)空穴的非竖直跃迁是主要的发光过程.而对于高掺杂的p-GaAs,则是以导带底附近(K(?)0)的电子和价带顶附近(K(?)0)的空穴竖直跃迁为主要发光过程. |
| 关 键 词： | 光致发光 高掺杂 砷化镓 分子束外延 |
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