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| 红外探测器微结构的HREM观察 | |
| 作者姓名： | 刘峥 邵贝羚 刘安生 王敬 王瑞忠 钱佩信 |
| 作者单位： | [1]北京有色金属研究总院分析测试技术研究所 [2]清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）观察了Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构．该器件光敏区是由３层Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和２层ＵＤ－Ｓｉ（未掺杂硅）组成，Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ层间界面不明锐，有一个由于Ｇｅ原子不均匀扩散造成的过渡带．这个过渡带缓和了界面的失配应力，因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变．在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区，缺陷的主要类型为层错和微孪晶．层错在（１ １１）面上，而微孪晶的厚度约为２～４晶面间距，其孪晶 |
| 关 键 词： | 红外探测器 微结构 HREM 实验 |
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