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320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究
引用本文:赵俊, 杨玉林, 李艳辉, 杨春章, 谭英, 齐航, 韩福忠, 邢一山, 王羽, 王晓璇, 姬荣斌, 孔金丞. 320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究[J]. 红外技术, 2014, (6): 439-442,456.
作者姓名:赵俊  杨玉林  李艳辉  杨春章  谭英  齐航  韩福忠  邢一山  王羽  王晓璇  姬荣斌  孔金丞
作者单位:赵俊:昆明物理研究所,云南昆明 650223
杨玉林:昆明物理研究所,云南昆明 650223
李艳辉:昆明物理研究所,云南昆明 650223
杨春章:昆明物理研究所,云南昆明 650223
谭英:昆明物理研究所,云南昆明 650223
齐航:昆明物理研究所,云南昆明 650223
韩福忠:昆明物理研究所,云南昆明 650223
邢一山:昆明物理研究所,云南昆明 650223
王羽:昆明物理研究所,云南昆明 650223
王晓璇:昆明物理研究所,云南昆明 650223
姬荣斌:昆明物理研究所,云南昆明 650223
孔金丞:昆明物理研究所,云南昆明 650223
摘    要:报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料,平均宏观缺陷密度低于200 cm-2,平均半峰宽优于90 arcsec,平均腐蚀坑密度低于2.9×106 cm-2;采用标准的二代平面工艺制备的320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器,平均峰值探测率达到3.8×1011 cm?Hz1/2W-1,平均等效噪音温差优于17.3 mK,非均匀性优于6.5%,有效像元率高于99.7%。

关 键 词:分子束外延  锗基碲镉汞  红外焦平面探测器
收稿时间:2014-01-15
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