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| Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究 | |
| 引用本文： | 姚官生, 张向锋, 丁嘉欣, 吕衍秋. Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究[J]. 红外技术, 2014, (6): 443-445. |
| 作者姓名： | 姚官生 张向锋 丁嘉欣 吕衍秋 |
| 作者单位： | 姚官生:中国空空导弹研究院，河南洛阳， 471009红外探测器技术航空科技重点实验室，河南洛阳， 471009 张向锋:中国空空导弹研究院，河南洛阳， 471009红外探测器技术航空科技重点实验室，河南洛阳， 471009 丁嘉欣:中国空空导弹研究院，河南洛阳， 471009 吕衍秋:中国空空导弹研究院，河南洛阳， 471009红外探测器技术航空科技重点实验室，河南洛阳， 471009 |
| 摘 要： | 制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器，对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外（3～5μm）的透过率进行了研究，并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化 Pt 电极制备条件及对 SiO2增透膜的研究，使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波段的透过率达到85%。室温300 K下，所制备Pt/CdS Schottky紫外探测器在零偏压处的背景光电流为-0.063 nA，在＋6 V时的暗电流密度为7.6×10-7 A/cm2，R0A达到7.2×104?·cm2，其50%截止波长为510 nm。 |
| 关 键 词： | Pt/CdS Schottky 紫外探测器 红外透过率 |
| 收稿时间： | 2014-01-23 |
Research on the Photoelectric Characteristics of the Pt/CdS Schottky UV Detector |
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| YAO Guan-sheng, ZHANG Xiang-feng, DING Jia-xin, LV Yan-qiu. Research on the Photoelectric Characteristics of the Pt/CdS Schottky UV Detector[J]. Infrared Technology , 2014, (6): 443-445. | |
| Authors: | YAO Guan-sheng ZHANG Xiang-feng DING Jia-xin LV Yan-qiu |
| Abstract: | |
| Keywords: | Pt/CdS，Schottky，ultraviolet detector，infrared transmittance |
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