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| 三菱和松下开发高集成DRAM混合组装的系统LSI | |
| 引用本文： | 一凡.三菱和松下开发高集成DRAM混合组装的系统LSI[J].微电子技术,2001,29(3):17. |
| 作者姓名： | 一凡 |
| 摘 要： | 三菱电机、松下电器产业 ,松下电子工业从 1998年开始共同开发下一代系统ＬＳＩ技术 ,作为最早的成果 ,已研究高集成ＤＲＡＭ系统ＬＳＩ工艺技术。采用Ｗ多金属门等 ,达到世界最高门密度 190ｋＧ/ｍｍ2 。采用堆积接触 (スタツクュンタヶメ )结构实现高集成逻辑和高密度ＤＲＡＭ混合组装。另外还采用 6层Ｃｕ隐埋配线技术。根据这些特征 ,逻辑 /ＤＲＡＭ混载样品的配线管脚是世界上最小的 ,特别是逻辑处的集成度根据美日的共同技术标准已达到 0 13μｍ高密度。根据这种新技术 ,在 10 0ｍｍ2 的芯片上可装载 64ＭＤＲＡＭ和 10 0 0万门逻辑 … |
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