| 高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT研究进展 |
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| 引用本文： | 薛春来,成步文,姚飞,王启明. 高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT研究进展[J]. 微纳电子技术, 2004, 41(9): 14-21 |
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| 作者姓名： | 薛春来 成步文 姚飞 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 863计划资助项目(2002AA312010)，973资助项目(G2000036603)，重点基金资助项目(60336010) |
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| 摘 要： | 回顾了Si_(1-x)Ge_x/Si HBT在几十年中的重要进展以及目前的研究现状。通过不同材料器件的对比表明,Si1-xGex/SiHBT在高频功率应用方面存在着巨大的优势,并将在未来无线通信和射频设计中占据重要地位。通过对研制成功的高频大功率Si1-xGex/SiHBT性能参数和结构的分析,深刻探讨了目前限制高频大功率Si1-xGex/SiHBT发展的问题,提出了解决办法和对进一步研究的想法。
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| 关 键 词： | Si_(1-x)Ge_x/Si HBT 大功率 高频 |
| 文章编号： | 1671-4776(2004)09-0014-08 |
| 修稿时间： | 2004-05-08 |
Development of high frequency high power Si1-xGex/Si HBT |
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| XUE Chun-lai,CHENG Bu-wen,YAO Fei,WANG Qi-ming. Development of high frequency high power Si1-xGex/Si HBT[J]. Micronanoelectronic Technology, 2004, 41(9): 14-21 |
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| Authors: | XUE Chun-lai CHENG Bu-wen YAO Fei WANG Qi-ming |
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| Abstract: | An overview of the development of Si1-xGex/Si HBT is presented. Compared to Ⅲ-Ⅴ group material,power Si1-xGex/Si HBT have many advantages in RF and wireless application. Some main progress of research and development on Si1-xGex/Si HBT were reviewed in the paper. Some problems in the research and technics were also discussed. Future prospects are explored. |
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| Keywords: | Si_(1-x)Ge_x/Si HBT high power high frequency |
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