| 1550 nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制 |
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| 引用本文： | 黄永箴,胡永红,于丽娟,陈沁,谭满清,马骁宇.1550 nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制[J].光电子．激光,2006,17(10):1157-1160. |
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| 作者姓名： | 黄永箴 胡永红 于丽娟 陈沁 谭满清 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55 μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7.的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%.对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度.对一腔长800 μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB.而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB.
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| 关 键 词： | 半导体光放大器(SOA) 增益 抗反射膜 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）10-1157-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-02 |
| 修稿时间： | 2005-12-022006-04-03 |
Fabrication and Characterization of 1 550 nm Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifiers |
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| HUANG Yong-zhen,HU Yong-hong,YU Li-juan,CHEN Qin,TAN Man-qing,MA Xiao-yu.Fabrication and Characterization of 1 550 nm Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifiers[J].Journal of Optoelectronics·laser,2006,17(10):1157-1160. |
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| Authors: | HUANG Yong-zhen HU Yong-hong YU Li-juan CHEN Qin TAN Man-qing MA Xiao-yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAsP |
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