| VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究 |
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| 引用本文： | 陈一峰,刘兴钊,邓新武.VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究[J].材料导报,2010,24(14). |
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| 作者姓名： | 陈一峰 刘兴钊 邓新武 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 教育部新世纪优秀人才支持计划 |
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| 摘 要： | 碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力.以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜.结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶.为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜.
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| 关 键 词： | 同质外延 气-液-固生长机理 |
Homoepitaxial 6H-SiC Thin Films by Vapor-Liquid-Solid Mechanism |
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| CHEN Yifeng,LIU Xingzhao,DENG Xinwu.Homoepitaxial 6H-SiC Thin Films by Vapor-Liquid-Solid Mechanism[J].Materials Review,2010,24(14). |
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| Authors: | CHEN Yifeng LIU Xingzhao DENG Xinwu |
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| Affiliation: | CHEN Yifeng,LIU Xingzhao,DENG Xinwu(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of ElectronicScience and Technology of China,Chengdu 610054) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 6H-SiC |
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