| 纳电子器件谐振隧道二极管的研制 |
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| 引用本文： | 梁惠来,赵振波,郭维廉,张世林,牛萍娟,杨中月,郝景臣,张豫黔,王文君,魏碧华,周均铭,王文新. 纳电子器件谐振隧道二极管的研制[J]. 半导体学报, 2002, 23(1): 91-94. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.01.021 |
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| 作者姓名： | 梁惠来 赵振波 郭维廉 张世林 牛萍娟 杨中月 郝景臣 张豫黔 王文君 魏碧华 周均铭 王文新 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;2. 信息产业部电子第十三研究所,石家庄,050051;3. 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管(RTD),有相当好的I-V特性.对于5μm×5μm的RTD器件,在室温条件下,测得其峰谷比最大可到7.6∶1,最高振荡频率大于26GHz.
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| 关 键 词： | 纳电子器件 谐振隧道二极管 砷化镓 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)01-0091-04 |
| 修稿时间： | 2001-03-01 |
Fabrication of Nanoelectronic Resonant Tunneling Diodes |
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| Liang Huilai ,Zhao Zhenbo ,Guo Weilian ,Zhang Shilin ,Niu Pingjuan ,Yang Zhongyue ,Hao Jingchen ,Zhang Yuqian ,Wang Wenjun ,Wei Bihua ,Zhou Junming and Wang Wenxin. Fabrication of Nanoelectronic Resonant Tunneling Diodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(1): 91-94. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.01.021 |
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| Authors: | Liang Huilai Zhao Zhenbo Guo Weilian Zhang Shilin Niu Pingjuan Yang Zhongyue Hao Jingchen Zhang Yuqian Wang Wenjun Wei Bihua Zhou Junming Wang Wenxin |
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| Affiliation: | Liang Huilai 1,Zhao Zhenbo 1,Guo Weilian 1,Zhang Shilin 1,Niu Pingjuan 1,Yang Zhongyue 2,Hao Jingchen 2,Zhang Yuqian 2,Wang Wenjun 2,Wei Bihua 2,Zhou Junming 3 and Wang Wenxin 3 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanoelectronic devices RTD GaAs |
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