| 一种具有瞬态增强的无片外电容型LDO |
| |
| 引用本文： | 周玉成,廖德阳,马磊,桑磊,黄文.一种具有瞬态增强的无片外电容型LDO[J].微电子学,2023,53(4):608-613. |
| |
| 作者姓名： | 周玉成 廖德阳 马磊 桑磊 黄文 |
| |
| 作者单位： | 合肥工业大学 微电子学院, 合肥 230009;昆山睿翔讯通通信技术有限公司, 江苏 昆山 215300 |
| |
| 基金项目： | 国家重点研发计划重点专项项目(2021YFA0715301); 江苏省自然科学基金资助项目(BK20201200) |
| |
| 摘 要： | 提出了一种稳定性高、瞬态特性良好、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用推挽式微分器检测负载瞬态变化引起的输出电压变化,加大对功率管栅极寄生电容的充放电电流,增强系统的瞬态响应能力；在误差放大器后接入缓冲级,将功率管栅极极点推向高频,并采用密勒电容进行频率补偿,使系统在全负载范围内稳定。基于TSMC 65 nm CMOS工艺进行流片,核心电路面积为0.035 mm2。测试结果表明,最低供电电压为1.1 V时,压降仅为100 mV,负载电流1 μs内在1 mA和150 mA之间跳变时,LDO的最大输出过冲电压与下冲电压分别为200 mV和180 mV。
|
| 关 键 词： | 低压差线性稳压器 无片外电容 频率补偿 瞬态增强 |
| 收稿时间： | 2022/12/12 0:00:00 |
A Capacitor-less LDO with Transient Enhancement |
| |
| ZHOU Yucheng,LIAO Deyang,MA Lei,SANG Lei,HUANG Wen.A Capacitor-less LDO with Transient Enhancement[J].Microelectronics,2023,53(4):608-613. |
| |
| Authors: | ZHOU Yucheng LIAO Deyang MA Lei SANG Lei HUANG Wen |
| |
| Affiliation: | School of Microelectronics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P.R.China;Kunshan Innowave Communication Technology Co., Ltd., Kunshan, Jiangsu 215300, P.R.China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | low dropout regulator (LDO) capacitor-less frequency compensation transient enhancement |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载全文 |
|
